এচিং
1) বিএসজিতে যান
সিলিকন ওয়েফারগুলিকে একটি চেইন ক্লিনিং মেশিনে ধুয়ে পানিতে ভাসিয়ে (অ্যাসিড দ্রবণের সংস্পর্শে পিঠের দিক দিয়ে) পিছন দিক থেকে বিএসজি অপসারণ করা হয়। অ্যাসিড দ্রবণের প্রধান উপাদান হল 24.5% HF, এবং প্রধান রাসায়নিক বিক্রিয়া সমীকরণের মধ্যে রয়েছে:
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
জল দিয়ে ধুয়ে এবং একটি বায়ু ছুরি দিয়ে শুকানোর পরে, এটি পরবর্তী প্রক্রিয়াতে প্রবেশ করে। বিএসজি ক্লিনিং মেশিন ইকুইপমেন্ট হল একটি আধা সিল করা যন্ত্র যাতে একটি অ্যাসিড ট্যাঙ্ক, একটি বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার করার ট্যাঙ্ক এবং ইকুইপমেন্টের ভিতরে একটি মাইক্রো নেগেটিভ চাপের পরিবেশ তৈরি করতে এবং উদ্বায়ী গ্যাস সংগ্রহ করার জন্য একটি প্ররোচিত ড্রাফ্ট সিস্টেম অন্তর্ভুক্ত থাকে।
এই প্রক্রিয়ার প্রধান দূষণের মধ্যে রয়েছে এইচএফযুক্ত অ্যাসিডিক বর্জ্য গ্যাস (G4), যা পাইপলাইনের মাধ্যমে সংগ্রহ করা হয় এবং চিকিত্সার জন্য অ্যাসিডিক বর্জ্য গ্যাস স্ক্রাবিং টাওয়ারে পাঠানো হয়। হাইড্রোফ্লোরিক অ্যাসিড (W10) এবং সাধারণ অ্যাসিডিক পরিষ্কারের বর্জ্য জল (W11) ধারণকারী উচ্চ ঘনত্বের অম্লীয় বর্জ্য জল।
2) ব্যাক এচিং
সিলিকন ওয়েফারের পিছনের দিকের প্রতিফলন উন্নত করতে, সিলিকন ওয়েফারের পিছনের অংশটি ক্ষার এবং পলিশিং এজেন্ট দিয়ে পালিশ করা হয়।
ক্ষার পলিশিং বিভাগে (6 লাইন) মডিউল রয়েছে যেমন প্রি ক্লিনিং, ওয়াটার ওয়াশিং, অ্যালকালি পলিশিং * 2, হাইড্রোজেন পারক্সাইড ক্লিনিং (সংরক্ষিত), মাইক্রো ভেলভেট (সংরক্ষিত), বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার, পোস্ট ক্লিনিং, বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার, অ্যাসিড ওয়াশিং * 2, অ্যাসিড ধোয়ার পরে বিশুদ্ধ জল ধোয়া, ধীর গতিতে টানা প্রি ডিহাইড্রেশন, শুকানো * 5, ইত্যাদি। পিঠের সম্পূর্ণ প্রক্রিয়া এচিং স্বয়ংক্রিয়ভাবে বাহিত হয়, একটি ট্রান্সফার আর্ম ব্যবহার করে ক্ষার পলিশিং মেশিনের ফিডিং এরিয়াতে আগে থেকে পরিষ্কার করা সিলিকন ওয়েফার পাঠাতে। সিলিকন ওয়েফারগুলি রোলারের মাধ্যমে স্বয়ংক্রিয় বন্ধ ক্ষার পলিশিং মেশিনে বিভিন্ন জারা এবং পরিষ্কারের ট্যাঙ্কের মধ্য দিয়ে যায়। সরঞ্জামগুলি স্বয়ংক্রিয়ভাবে প্রতিটি মডিউলে অ্যাসিড, ক্ষার দ্রবণ এবং বিশুদ্ধ জলের পুনরায় পূরণ নিয়ন্ত্রণ করে। ট্যাঙ্কের অ্যাসিড এবং ক্ষার দ্রবণ পাইপলাইনের মাধ্যমে পাম্প করা হয় এবং ট্যাঙ্কের বর্জ্য জল নিয়মিত নিষ্কাশন করা হয়।
3) প্রাক পরিষ্কার
প্রক্রিয়াকরণের পরে, সিলিকন ওয়েফার অবশিষ্ট জৈব পদার্থ অপসারণ করতে এবং সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের পরিচ্ছন্নতা নিশ্চিত করতে পরিষ্কার করার ট্যাঙ্কে প্রবেশ করে, যার ফলে ব্যাটারি রূপান্তর দক্ষতা একটি নির্দিষ্ট পরিমাণে উন্নত হয়। লোড করা সিলিকন ওয়েফারগুলিকে প্রি-ক্লিনিং-এ ডুবিয়ে রাখুন, ট্যাঙ্কে বিশুদ্ধ জল যোগ করুন এবং উপযুক্ত পরিমাণে NaOH দ্রবণ বা ক্লিনিং সলিউশন যোগ করুন (NaOH ঘনত্ব {{0}}.39%, H2O2 ঘনত্ব হল উচ্চ-তাপমাত্রা পরিষ্কারের অনুপাত অনুযায়ী 0.61% হবে বলে আশা করা হচ্ছে (60 ডিগ্রি)। প্রাক পরিষ্কারের পরে বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার করুন। বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার হল সমস্ত ওভারফ্লো নিমজ্জন পরিষ্কার করা, যা 100 সেকেন্ডের জন্য ঘরের তাপমাত্রায় করা হয়।
4) ক্ষার পলিশিং এবং ওয়াশিং
ক্ষারীয় পলিশিং ট্যাঙ্কটি বিশুদ্ধ জল দিয়ে সজ্জিত, এবং উপযুক্ত পরিমাণে NaOH দ্রবণ এবং পলিশিং অ্যাডিটিভ (NaOH দ্রবণ প্রায় 1.6%, পলিশিং এজেন্ট ঘনত্ব 0.97%) যোগ করা হয়। তারপরে, সিলিকন ওয়েফারের পিছনের পৃষ্ঠটি 65 ডিগ্রি অপারেটিং তাপমাত্রায় পালিশ করা হয়। বিশুদ্ধ জল দিয়ে ধুয়ে ফেলার আগে ক্ষার দিয়ে ধুয়ে ফেলুন। ক্ষার নিক্ষেপ প্রক্রিয়ার সময় যে রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটে তা নিম্নরূপ:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
ক্ষার ওয়াশিং ট্যাঙ্কের কাজের তাপমাত্রা 65 ডিগ্রি, এবং ক্ষার ধোয়ার সময় 220 সেকেন্ডে নিয়ন্ত্রিত হয়।
5) পোস্ট পরিষ্কার এবং মাইক্রো মখমল উত্পাদন
ট্যাঙ্কে বিশুদ্ধ জল যোগ করুন, এবং ঘরের তাপমাত্রা পরিষ্কারের অনুপাত অনুযায়ী উপযুক্ত পরিমাণে NaOH দ্রবণ এবং হাইড্রোজেন পারক্সাইড (NaOH দ্রবণ প্রায় {{0}.55%, হাইড্রোজেন পারক্সাইড ঘনত্ব 0.25%) যোগ করুন। পরিষ্কার করার পরে, বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার করুন।
মাইক্রো ভেলভেট প্রক্রিয়ার সময় যে রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটে তা নিম্নরূপ:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) অ্যাসিড ওয়াশিং
পরিষ্কার করার পরে, উচ্চ-বিশুদ্ধতা পরিষ্কারের জন্য একটি পাতলা অ্যাসিড দ্রবণ ({{0}}.9% HCl এবং 0.23% HF) ব্যবহার করা উচিত। HCl এর কাজ হল অবশিষ্ট NaOH কে নিরপেক্ষ করা, যখন HF এর কাজ হল সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের অক্সাইড স্তর অপসারণ করা, এটিকে আরও হাইড্রোফোবিক করে এবং সিলিকন কমপ্লেক্স H2SiF6 গঠন করে। ধাতব আয়নগুলির সাথে জটিলতার মাধ্যমে, ধাতব আয়নগুলি সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠ থেকে বিচ্ছিন্ন হয়, ধাতব আয়নের পরিমাণ হ্রাস করে এবং প্রসারণ বন্ধনের জন্য প্রস্তুত হয়। অ্যাসিড ধোয়ার পরে বিশুদ্ধ জল দিয়ে পরিষ্কার করুন।
পিকলিং প্রক্রিয়ার সময় যে রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটে তা নিম্নরূপ:
HCl+NaOH=NaCl+H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
পিলিং ট্যাঙ্কের কাজের তাপমাত্রা ঘরের তাপমাত্রায় থাকে এবং পিকিংয়ের সময় 100 সেকেন্ডে নিয়ন্ত্রিত হয়।
7) শুকানো
ধীরে ধীরে টানা প্রি-ডিহাইড্রেটেড ক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারকে শুকানোর ট্যাঙ্কে স্থানান্তর করুন এবং বৈদ্যুতিক গরম ব্যবহার করে শুকানোর জন্য ওয়েফারের উপর 90 ডিগ্রি উপরে এবং নীচে গরম বাতাস উড়িয়ে দিন।
উপরে উল্লিখিত ব্যাক এচিং প্রক্রিয়ায়, প্রাক-পরিষ্কার, ক্ষার পলিশিং এবং পরে পরিষ্কারের প্রক্রিয়াগুলি সোডিয়াম হাইড্রক্সাইড (W12, W14, W16) এবং সাধারণ ক্ষারীয় পরিষ্কারের বর্জ্য জল (W13, W15, W17) ধারণকারী উচ্চ ঘনত্বের ক্ষারীয় বর্জ্য তৈরি করে। অ্যাসিড ধোয়ার প্রক্রিয়া হাইড্রোক্লোরিক অ্যাসিড এবং হাইড্রোফ্লোরিক অ্যাসিড (W18) এবং সাধারণ অ্যাসিডিক পরিষ্কারের বর্জ্য জল (W19, W20) ধারণকারী উচ্চ ঘনত্বের অ্যাসিডিক বর্জ্য জল তৈরি করে। উপরের অপারেশনটি একটি বন্ধ ক্ষার নিক্ষেপকারী মেশিনে করা হয়। অ্যাসিড ধোয়ার প্রক্রিয়াটি উদ্বায়ী করবে এবং HCl এবং HF ধারণকারী অ্যাসিডিক বর্জ্য গ্যাস (G5) তৈরি করবে, যা পাইপলাইনের মাধ্যমে সংগ্রহ করা হবে এবং চিকিত্সার জন্য অ্যাসিডিক বর্জ্য গ্যাস ওয়াশিং টাওয়ারে পাঠানো হবে।
POPAID জমার সিটু ডোপিং
টানেলিং অক্সাইড স্তর এবং ডোপড স্ফটিক সিলিকন স্তরগুলিকে একীভূত করে প্লেট আবরণ প্রস্তুত করার জন্য POPAID প্রক্রিয়া একটি মূল কৌশল।
প্রথমত, সিলিকন ওয়েফার বায়ুমণ্ডলীয় পরিস্থিতিতে লোডিং চেম্বারে প্রবেশ করে, 300 ডিগ্রি প্রিহিটিং চেম্বারে স্থানান্তরিত হয় এবং তারপরে PO প্রক্রিয়া চেম্বারে প্রবেশ করে। এই সময়ে, O2 শ্বাসনালী দিয়ে গ্যাস বিচ্ছেদ ব্লকে পরিবহন করা হয়, এবং আয়নাইজ করার জন্য RF পাওয়ার সাপ্লাই দ্বারা সক্রিয় হয়। আয়নগুলি সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে অক্সিডাইজ করে, একটি টানেলিং অক্সাইড স্তর তৈরি করে; তারপর সিলিকন ওয়েফার একটি ট্রানজিশন এবং বাফার চেম্বারের মধ্য দিয়ে যায় এবং পেইড চেম্বারে স্থানান্তরিত হয়। প্রদত্ত উত্সটি সাবস্ট্রেটের পিছনে একটি নির্দিষ্ট বেধের নিরাকার সিলিকন জমা করে এবং জমা প্রক্রিয়া চলাকালীন PH3 গ্যাস চালু হয়। গ্যাসীয় ফসফাইন মেশিনে প্রবেশ করে এবং 10kev এবং 0 দ্বারা ফসফরাস আয়নের অবস্থায় উত্তেজিত হয়।{5}}kev উচ্চ-ভোল্টেজ রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি। আয়ন উত্স এবং স্থলের মধ্যে একটি সরাসরি বর্তমান উচ্চ ভোল্টেজ যোগ করা হয়, যাতে ফসফরাস আয়নগুলি উচ্চ-ভোল্টেজ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মাধ্যমে শক্তি পায়। মরীচি প্রস্থ 420 মিমি, এবং তারপর সিলিকন ওয়েফার মরীচি নীচে স্থানান্তরিত হয়। প্রদত্ত উত্সের পরমাণুগুলি সাবস্ট্রেটের দিকে উড়ে যাওয়ার প্রক্রিয়া চলাকালীন, তারা P আয়ন বহন করে বা P আয়নের সাথে প্রতিক্রিয়া করে ইন-সিটু ফসফরাস ডোপিং অর্জন করে।
প্রধান প্রতিক্রিয়া সমীকরণ হল: PO+PAID＝POPAID
প্লাজমা অক্সিডেশন (PO): SiH4+O2 → SiO2
প্লাজমা অ্যাসিস্টেড ইন-সিটু ডোপিং (PAID): Si (উৎস)+PH3 → n-Si
প্রতিক্রিয়া সম্পন্ন হওয়ার পরে, নাইট্রোজেন প্রস্ফুটিত হয় এবং আয়নটি স্বয়ংসম্পূর্ণ শোষণকারীতে প্রবেশ করানো হয়, যার চিকিত্সার দক্ষতা 100% পর্যন্ত হয়। শোষণ টাওয়ারে প্রবেশের আগে ফসফাইনের ঘনত্ব 179.05ppm, এবং শোষণের পরে কোনও PH3 সনাক্ত করা যায় না। এই প্রকল্পটি এই নিষ্কাশন গ্যাসটিকে DA003 বর্জ্য গ্যাস টাওয়ারের সাথে চিকিত্সার জন্য সংযুক্ত করার এবং তারপর এটি নিষ্কাশন করার পরিকল্পনা করেছে। একই সময়ে, এন্টারপ্রাইজ ফসফরাস লিকেজের জন্য 0.1mg/m3 সনাক্তকরণ সীমা সহ একটি স্বয়ংক্রিয় অ্যালার্ম ইনস্টল করার পরিকল্পনা করেছে।
দূষণ উত্পাদন প্রক্রিয়ার বিশ্লেষণ: এই প্রক্রিয়ার প্রধান দূষণ প্রক্রিয়াগুলি হল প্রক্রিয়া চলাকালীন প্রবর্তিত Ar, PH3, এবং N2, যা ডেডিকেটেড পাইপ দ্বারা সংগ্রহ করা হয় এবং চিকিত্সার জন্য অ্যাসিড বর্জ্য গ্যাস স্ক্রাবিং টাওয়ারে পাঠানো হয়।