অ্যানিলিং
সিলিকন ওয়েফারটি কোয়ার্টজ গ্লাসের তৈরি একটি প্রতিক্রিয়া টিউবে রাখুন, যা একটি রেজিস্ট্যান্স ওয়্যার হিটিং ফার্নেস ব্যবহার করে একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা হয় (সাধারণত ব্যবহৃত তাপমাত্রা হল 900-1200 ডিগ্রি, যা বিশেষ পরিস্থিতিতে 600 ডিগ্রির নিচে নামিয়ে আনা যায়) ) যখন অক্সিজেন প্রতিক্রিয়া টিউবের মধ্য দিয়ে যায়, তখন সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটে:
Si (কঠিন)+O2 (বায়বীয়) → SiO2 (কঠিন)
অ্যানিলিং প্রক্রিয়ার সময় উত্পন্ন অমেধ্যগুলির পুনঃবন্টন এছাড়াও অপবিত্রতা শোষণে ভূমিকা পালন করে, এই ক্ষতিকারক আয়নগুলিকে অপসারণের জন্য PSG-এর শোষণ এবং সোডিয়াম এবং পটাসিয়াম আয়নগুলির ফিক্সেশন ব্যবহার করে।
দূষণ উৎপাদনের লিঙ্কগুলির বিশ্লেষণ: এই প্রক্রিয়ার প্রধান দূষণ লিঙ্কগুলি হল তাপীয় অক্সিজেন লিঙ্কের অবশিষ্ট অক্সিজেন এবং নাইট্রোজেন।
BOE পরিষ্কার করা
BOE (5-লাইন) স্লট টাইপ সরঞ্জাম হল একটি সমন্বিত আধা বন্ধ ডিভাইস, যেখানে সিলিকন ওয়েফারগুলি স্বয়ংক্রিয় সরঞ্জামের মাধ্যমে ঝুড়িতে রাখা হয় এবং যান্ত্রিক অস্ত্রের মাধ্যমে সরঞ্জামের প্রতিটি স্লটে সমাধানে রূপান্তরিত হয়। দ্রবণের ঘনত্বের উপর ভিত্তি করে রাসায়নিক ট্যাঙ্কটি ধারাবাহিকভাবে সংশ্লিষ্ট রাসায়নিক দিয়ে পূরণ করা হয় এবং নিয়মিতভাবে সামগ্রিকভাবে প্রতিস্থাপিত হয়। প্রতিস্থাপিত বর্জ্য তরল বর্জ্য জল সিস্টেমে নিঃসৃত হয় এবং শেষ পর্যন্ত চিকিত্সার জন্য স্যুয়ারেজ ট্রিটমেন্ট প্ল্যান্টে প্রবেশ করে। ওয়াশিং ট্যাঙ্ক বিশুদ্ধ জল দিয়ে পরিষ্কার করা হয়। যখন ট্যাঙ্কে সিলিকন ওয়েফার থাকে, তখন বিশুদ্ধ জল ধীরে ধীরে যোগ করা হয় এবং বর্জ্য জল ধারণকারী লবণ স্বয়ংক্রিয়ভাবে বর্জ্য জল সংগ্রহের সিস্টেমে উপচে পড়ে এবং অবশেষে চিকিত্সার জন্য স্যুয়ারেজ ট্রিটমেন্ট প্ল্যান্টে প্রবেশ করে। সমস্ত রাসায়নিক তরল আকারে থাকে এবং একটি ডায়াফ্রাম পাম্প দ্বারা স্বয়ংক্রিয়ভাবে বিতরণ করা হয়। ক্লিনিং সিকোয়েন্স হল: পিকলিং ট্যাঙ্ক * 2, ওয়াটার ওয়াশিং, পোস্ট পিকলিং (HCl/HF/DI), ওয়াটার ওয়াশিং, স্লো টানিং, ড্রাইং * 6, ট্যাঙ্কের আকার 720L।
1) অ্যাসিড ওয়াশিং
উচ্চ-বিশুদ্ধতা পরিষ্কারের জন্য একটি পাতলা অ্যাসিড দ্রবণ (3.15% HCl এবং 7.1% HF) প্রয়োজন। HCl-এর কাজ হল Cl-কে জটিল ধাতব আয়ন ব্যবহার করা, যখন HF-এর কাজ হল সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের অক্সাইড স্তর অপসারণ করা, এটিকে আরও হাইড্রোফোবিক করে এবং সিলিকন জটিল H2SiF6 গঠন করে। ধাতব আয়নগুলির সাথে সমন্বয় করে, ধাতব আয়নগুলি সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠ থেকে বিচ্ছিন্ন হয়, সিলিকন ওয়েফারের ধাতব আয়ন সামগ্রী হ্রাস করে। HF অ্যাসিড ওয়াশিং 150 সেকেন্ডের জন্য সম্মুখের BSG স্তর এবং পিছনে PSG স্তর অপসারণ করা হয়. অ্যাসিড ধোয়ার পরে, বিশুদ্ধ জল পরিষ্কার করা হয়।
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
2) পোস্ট পিকলিং
পরিষ্কার করার পরে, উচ্চ-বিশুদ্ধতা পরিষ্কারের জন্য একটি পাতলা অ্যাসিড দ্রবণ (14.7% HF) ব্যবহার করা উচিত। HF এর কাজ হল সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের অক্সাইড স্তর অপসারণ করা, এটিকে আরও হাইড্রোফোবিক করে এবং সিলিকন কমপ্লেক্স H2SiF6 গঠন করে। ধাতব আয়নগুলির সাথে জটিলতার মাধ্যমে, ধাতব আয়নগুলি সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠ থেকে বিচ্ছিন্ন হয়, যা সিলিকন ওয়েফারের ধাতব আয়ন সামগ্রীকে হ্রাস করে।
পিকলিং প্রক্রিয়ার সময় যে রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটে তা হল: SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
পিলিং ট্যাঙ্কের কাজের তাপমাত্রা ঘরের তাপমাত্রায় থাকে এবং পিকিংয়ের সময় 100 সেকেন্ডে নিয়ন্ত্রিত হয়।
3) শুকানো
ধীরে ধীরে টানা প্রি-ডিহাইড্রেটেড ক্রিস্টালাইন সিলিকন ওয়েফারকে শুকানোর ট্যাঙ্কে স্থানান্তর করুন এবং বৈদ্যুতিক গরম ব্যবহার করে শুকানোর জন্য ওয়েফারের উপর 90 ডিগ্রি উপরে এবং নীচে গরম বাতাস উড়িয়ে দিন।
উপরের অ্যাসিড ধোয়ার প্রক্রিয়াটি উচ্চ ঘনত্বের অ্যাসিডিক বর্জ্য জল তৈরি করবে যার মধ্যে HCl এবং হাইড্রোফ্লোরিক অ্যাসিড (W21) এবং হাইড্রোফ্লোরিক অ্যাসিড (W23) ধারণকারী উচ্চ ঘনত্বের অ্যাসিডিক বর্জ্য এবং সাধারণত অ্যাসিডিক পরিষ্কারের বর্জ্য জল (W22, 24, 25)। উপরের অপারেশনটি একটি বদ্ধ পরিচ্ছন্নতার মেশিনে করা হয়, এবং অ্যাসিড ধোয়ার প্রক্রিয়াটি এইচসিএল এবং এইচএফ (জি 6) এবং এইচএফ (জি 7) ধারণকারী অ্যাসিডিক বর্জ্য গ্যাস তৈরি করতে উদ্বায়ী হবে, যা পাইপলাইনের মাধ্যমে সংগ্রহ করা হবে এবং পাঠানো হবে। চিকিত্সার জন্য অ্যাসিডিক বর্জ্য গ্যাস ওয়াশিং টাওয়ার।
ALD
তাদের নিষ্ক্রিয়তা এবং অপবিত্রতা শোষণ প্রভাব উন্নত করতে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে Al2O3 এর একটি স্তর জমা করতে ALD সরঞ্জাম ব্যবহার করুন। প্রধান পদ্ধতি হল বায়বীয় Al (CH3) 3 এর সাথে জলীয় বাষ্প (H2O) এর সাথে বিক্রিয়া করে Al (OH) 3 তৈরি করা, যা সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের সাথে লেগে থাকে এবং মিথেন গ্যাস উৎপন্ন করে।
প্রধান প্রতিক্রিয়া সমীকরণ হল:
Al(CH3)3+3H2O→Al(OH)3+3CH4↑
2Al(OH)3→Al2O3+3H2O↑
ALD সরঞ্জাম হল একটি বন্ধ ঋণাত্মক চাপ ডিভাইস, একটি খাঁড়ি, আউটলেট এবং খাঁড়ি/আউটলেট দিয়ে সজ্জিত। হিটিং হল বৈদ্যুতিক হিটিং, এবং সরঞ্জামগুলি তেল-মুক্ত শুষ্ক যান্ত্রিক ভ্যাকুয়াম পাম্পের সাথে আসে। উত্পাদন শুরু হওয়ার পরে, রোবোটিক আর্মটি প্রথমে ব্যাটারি কোষগুলিকে ALD সরঞ্জামগুলিতে পাঠায় এবং ফিডিং পোর্ট বন্ধ করে দেয়। একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় তাপ করুন, খালি করুন এবং উত্পাদনের জন্য প্রয়োজনীয় স্তরে সরঞ্জামের ভিতরে চাপ আনুন। পর্যায়ক্রমে গ্যাস-ফেজ পূর্বসূরি TMA এবং H2O ডালগুলিকে প্রতিক্রিয়া চেম্বারে প্রবর্তন করে, এবং রাসায়নিকভাবে শোষণ করে এবং ডিপোজিশন সাবস্ট্রেটের উপর বিক্রিয়া করে, একটি ডিপোজিশন ফিল্ম AL2O3 তৈরি হয়। অবশেষে, সরঞ্জামের ভিতরে থাকা মিথেন নিষ্কাশন গ্যাসটি নাইট্রোজেন গ্যাস দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয় এবং সিলিকন ওয়েফারটি স্বয়ংক্রিয়ভাবে অপসারণের জন্য সরঞ্জামগুলি চালু করা হয়।
এই প্রক্রিয়ার প্রধান দূষক হল নিষ্কাশন গ্যাস মিথেন (G8), যা একটি ভ্যাকুয়াম পাম্প দ্বারা নিষ্কাশিত হয় এবং একটি স্টেইনলেস স্টিলের সিলেন দহন সিলিন্ডার এবং জল স্প্রে ডিভাইস দ্বারা চিকিত্সা করা হয়।
সামনে আবরণ
মূল নীতি হল প্লাজমা তৈরি করতে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি হালকা স্রাব ব্যবহার করা যা পাতলা ফিল্ম জমার প্রক্রিয়াকে প্রভাবিত করে, গ্যাসের অণুগুলির পচন, সংমিশ্রণ, উত্তেজনা এবং আয়নিকরণকে উৎসাহিত করে এবং প্রতিক্রিয়াশীল গোষ্ঠীর প্রজন্মকে উন্নীত করে। NH3-এর উপস্থিতির কারণে, এটি সক্রিয় গোষ্ঠীগুলির প্রবাহ এবং প্রসারণকে সহজতর করে, পাতলা ছায়াছবির বৃদ্ধির হার বাড়ায় এবং জমা তাপমাত্রাকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে।
সিলিকন নাইট্রাইড অক্সাইড ফিল্মগুলির PECVD জমার সময় প্রধান রাসায়নিক বিক্রিয়াগুলি হল:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
PECVD পজিটিভ ফিল্ম ইকুইপমেন্ট হল একটি বন্ধ নেতিবাচক চাপ ডিভাইস, বৈদ্যুতিকভাবে উত্তপ্ত এবং একটি তেল-মুক্ত শুষ্ক যান্ত্রিক ভ্যাকুয়াম পাম্পের সাথে আসে। উত্পাদনের সময়, নাইট্রোজেন প্রথমে সরঞ্জামগুলিতে ভরা হয় এবং রোবোটিক আর্মটি সিলিকন ওয়েফার লোডিং সম্পূর্ণ করে। সরঞ্জামগুলি বাহ্যিক চাপে পৌঁছানোর পরে, খাঁড়ি এবং আউটলেট খোলা হয় এবং গ্রাফাইট বোট স্বয়ংক্রিয়ভাবে সরঞ্জামগুলিতে প্রবেশ করে এবং খাঁড়ি এবং আউটলেট বন্ধ করে দেয়। ভ্যাকুয়ামাইজ করুন এবং বিভিন্ন নিরাপত্তা পরীক্ষা পরিচালনা করুন। নিরাপত্তা নিশ্চিত করার পরে, সরঞ্জামের ভিতরে নাইট্রোজেন অক্সাইড সিলিকন আবরণ সম্পূর্ণ করতে সিলেন এবং অ্যামোনিয়া গ্যাস প্রবর্তন করুন। আবরণ সম্পূর্ণ হওয়ার পরে, বিশেষ গ্যাস পাইপলাইন এবং সরঞ্জামগুলিতে অবশিষ্ট গ্যাস নাইট্রোজেন গ্যাসের মাধ্যমে নিষ্কাশন করা হয় এবং তারপরে খাঁড়ি এবং আউটলেটটি স্রাবের জন্য খোলা হয়। ঠাণ্ডা হওয়ার পর, সাজানোর প্রক্রিয়ায় প্রবেশ করুন এবং পরবর্তী প্রক্রিয়ায় এগিয়ে যান।
দূষণ উৎপাদন প্রক্রিয়ার বিশ্লেষণ: এই উৎপাদন প্রক্রিয়ায় দূষণের প্রধান রূপ হল আবরণ বর্জ্য গ্যাস (সিলেন, অতিরিক্ত লাফিং গ্যাস, অতিরিক্ত অ্যামোনিয়া, হাইড্রোজেন, নাইট্রোজেন ইত্যাদি) (G9), যা প্রথমে স্টেইনলেস স্টিলের সিলেন দহনে চিকিত্সা করা হয়। প্ররোচিত খসড়া সিস্টেমের মাধ্যমে সিলিন্ডার, এবং তারপর স্প্রে টাওয়ার দ্বারা চিকিত্সা করার পরে নিষ্কাশন করা হয়।
পিছনে আবরণ
সিলিকন নাইট্রাইড অক্সাইড ফিল্মগুলির PECVD জমার সময় প্রধান রাসায়নিক বিক্রিয়াগুলি হল:
SiH4+NH3+N2O→xSi2O2N4+N2↑+yH2↑
PECVD ব্যাক ফিল্ম ইকুইপমেন্ট হল একটি বন্ধ নেগেটিভ প্রেসার ডিভাইস, বৈদ্যুতিকভাবে উত্তপ্ত এবং একটি তেল-মুক্ত শুষ্ক যান্ত্রিক ভ্যাকুয়াম পাম্পের সাথে আসে। উত্পাদনের সময়, নাইট্রোজেন প্রথমে সরঞ্জামগুলিতে ভরা হয় এবং রোবোটিক আর্মটি সিলিকন ওয়েফার লোডিং সম্পূর্ণ করে। সরঞ্জামগুলি বাহ্যিক চাপে পৌঁছানোর পরে, খাঁড়ি এবং আউটলেট খোলা হয় এবং গ্রাফাইট বোট স্বয়ংক্রিয়ভাবে সরঞ্জামগুলিতে প্রবেশ করে এবং খাঁড়ি এবং আউটলেট বন্ধ করে দেয়। ভ্যাকুয়ামাইজ করুন এবং বিভিন্ন নিরাপত্তা পরীক্ষা পরিচালনা করুন। নিরাপত্তা নিশ্চিত করার পরে, সরঞ্জামের ভিতরে নাইট্রোজেন অক্সাইড সিলিকন আবরণ সম্পূর্ণ করতে সিলেন এবং অ্যামোনিয়া গ্যাস প্রবর্তন করুন। আবরণ সম্পূর্ণ হওয়ার পরে, বিশেষ গ্যাস পাইপলাইন এবং সরঞ্জামগুলিতে অবশিষ্ট গ্যাস নাইট্রোজেন গ্যাসের মাধ্যমে নিষ্কাশন করা হয় এবং তারপরে খাঁড়ি এবং আউটলেটটি স্রাবের জন্য খোলা হয়। ঠাণ্ডা হওয়ার পর, সাজানোর প্রক্রিয়ায় প্রবেশ করুন এবং পরবর্তী প্রক্রিয়ায় এগিয়ে যান।
দূষণ উৎপাদন প্রক্রিয়ার বিশ্লেষণ: এই উৎপাদন প্রক্রিয়ায় দূষণের প্রধান রূপ হল আবরণ বর্জ্য গ্যাস (সিলেন, অতিরিক্ত লাফিং গ্যাস, অতিরিক্ত অ্যামোনিয়া, হাইড্রোজেন, নাইট্রোজেন ইত্যাদি) (G9), যা প্রথমে স্টেইনলেস স্টিলের সিলেন দহনে চিকিত্সা করা হয়। প্ররোচিত খসড়া সিস্টেমের মাধ্যমে সিলিন্ডার, এবং তারপর স্প্রে টাওয়ার দ্বারা চিকিত্সা করার পরে নিষ্কাশন করা হয়।
ধাতবকরণ
1) মুদ্রণ
মুদ্রণ প্রক্রিয়া চলাকালীন, স্লারিটি স্ক্রিনের উপরে থাকে এবং স্ক্র্যাপারটি একটি নির্দিষ্ট চাপের সাথে স্ক্রিনের উপর চাপা হয়, যার ফলে স্ক্রীনটি বিকৃত হয়ে যায় এবং সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের সংস্পর্শে আসে। স্লারি বের করা হয় এবং সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের সংস্পর্শে আসে; সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠে একটি শক্তিশালী শোষণ শক্তি রয়েছে, যা জালের গর্ত থেকে স্লারিকে জোর করে বের করে দেয়। এই মুহুর্তে, স্ক্র্যাপার চলছে, এবং পূর্বে বিকৃত জাল প্লেটটি, ভাল পুনরুদ্ধার শক্তির অধীনে, স্লারিটিকে সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠের উপর মসৃণভাবে পড়তে দেয়। সিলভার পেস্ট হল প্রিন্টিং পেস্টের মতো একটি পেস্ট যা অতি-সূক্ষ্ম এবং উচ্চ-বিশুদ্ধতার রূপালী এবং অ্যালুমিনিয়াম পাউডার দিয়ে তৈরি প্রধান ধাতু হিসাবে, একটি নির্দিষ্ট পরিমাণ জৈব বাইন্ডার এবং সহায়ক এজেন্ট হিসাবে রজন দ্বারা পরিপূরক।
প্রথমত, ব্যাক ইলেক্ট্রোড প্রিন্টিং এবং শুকানো: ব্যাটারির পিছনে ব্যাক ইলেক্ট্রোড পেস্ট (লেজার ড্রিলিং পজিশন সহ) (সিলভার পেস্ট) সঠিকভাবে সনাক্ত করুন এবং মুদ্রণ করুন এবং প্রিন্ট করা ব্যাক ইলেক্ট্রোড যাতে ক্ষতিগ্রস্ত না হয় তা নিশ্চিত করতে কম তাপমাত্রায় দ্রুত শুকিয়ে নিন। পরবর্তী মুদ্রণ পদক্ষেপের সময়।
দ্বিতীয়ত, পিছনের সূক্ষ্ম গ্রিড লাইনগুলি মুদ্রণ এবং শুকানো: ব্যাটারির পিছনে সূক্ষ্ম গ্রিড লাইন পেস্ট (সিলভার পেস্ট) সঠিকভাবে অবস্থান করুন এবং মুদ্রণ করুন এবং কম তাপমাত্রায় দ্রুত শুকিয়ে নিন। প্রধান উদ্দেশ্য হল সিলিকন সাবস্ট্রেটের সাথে যোগাযোগ করা, কারেন্ট ট্রান্সমিট করা এবং বাহক পুনঃসংযোজন কমাতে এবং বুস্ট বৃদ্ধি করা।
তারপরে, ফ্লিপারের মধ্য দিয়ে যাওয়ার পরে, ব্যাটারি কোষগুলি পিছনের দিক থেকে সামনের দিকে উল্টে যায়। ইতিবাচক ইলেক্ট্রোড মুদ্রণ এবং শুকানোর কাজ করুন: সঠিকভাবে ব্যাটারির সামনে ইতিবাচক ইলেক্ট্রোড পেস্ট (সিলভার পেস্ট) অবস্থান করুন এবং মুদ্রণ করুন এবং কম তাপমাত্রায় দ্রুত শুকিয়ে নিন। এর প্রধান কাজ হল সূক্ষ্ম গ্রিড লাইন দ্বারা সংগৃহীত বর্তমানকে বহিরাগত সার্কিট বা মেমরিতে পরিবহণ করা।
অবশেষে, সামনের সূক্ষ্ম গ্রিড লাইনের মুদ্রণ এবং শুকানো: ব্যাটারির সামনের ইলেক্ট্রোডের পেস্ট (সিলভার পেস্ট) সঠিকভাবে অবস্থান করুন এবং মুদ্রণ করুন। প্রিন্ট করার পরে, এটি একটি ভাল ওমিক যোগাযোগ গঠন করে, কঠিন sintering জন্য sintering চুল্লি প্রবেশ করার জন্য অপেক্ষা করুন। এর প্রধান কাজ হল কারেন্ট সংগ্রহ করা, ব্যাটারি সেলের আলো শোষণ ক্ষমতা বাড়ানো এবং রূপান্তর দক্ষতা উন্নত করা।
উপরের শুকানোর প্রক্রিয়া চলাকালীন স্লারি শুকানোর তাপমাত্রা প্রায় 200 ডিগ্রি। এই প্রক্রিয়াটি জৈব উদ্বায়ী গ্যাস (G10) উৎপন্ন করবে, যার প্রধান দূষণকারী অ্যালকোহল এস্টার যেমন ডোডেকেন, যা VOC হিসাবে গণনা করা হয়। মুদ্রণ প্রক্রিয়া চলাকালীন উত্পন্ন জৈব বর্জ্য গ্যাস একটি গ্যাস সংগ্রহের হুড দ্বারা সংগ্রহ করা হয় এবং একটি দুই-পর্যায়ের সিরিজ সংযুক্ত সক্রিয় কার্বন শোষণ বাক্স দ্বারা চিকিত্সা করা হয় এবং অবশেষে একটি নিষ্কাশন পাইপের মাধ্যমে নিষ্কাশন করা হয়। নিষ্কাশন নালী নিয়মিত পরিষ্কার এবং পরিষ্কার করা প্রয়োজন তার শোষণ দক্ষতা বজায় রাখার জন্য।
2) সিন্টারিং
সিন্টারিং হল সিলিকন ওয়েফারে ছাপানো প্রধান সূক্ষ্ম গেট পেস্টকে উচ্চ তাপমাত্রায় একটি ব্যাটারি কোষে সিন্টার করার প্রক্রিয়া, যা ইলেক্ট্রোডকে পৃষ্ঠের উপর এমবেড করার অনুমতি দেয়, একটি শক্তিশালী যান্ত্রিক যোগাযোগ এবং ভাল বৈদ্যুতিক সংযোগ তৈরি করে, শেষ পর্যন্ত একটি ওমিক যোগাযোগের ফলে। ইলেক্ট্রোড এবং সিলিকন ওয়েফার নিজেই মধ্যে.
মুদ্রিত সিলিকন ওয়েফারগুলি বৈদ্যুতিক গরম করার চুল্লি ব্যবহার করে সিন্টার করা হয়, যা বিভিন্ন তাপমাত্রা অঞ্চলে বিভক্ত। সিন্টারিং প্রক্রিয়া চলাকালীন, সিলিকন ওয়েফারগুলি উপরের এবং নীচের ইলেক্ট্রোড গঠন করে এবং সর্বোচ্চ সিন্টারিং তাপমাত্রা 700 ~ 800 ডিগ্রির মধ্যে হয়। এই প্রক্রিয়া চলাকালীন, স্লারিতে থাকা অ্যালকোহল এস্টার ডোডেকেনের মতো জৈব দ্রাবকগুলি সম্পূর্ণরূপে বাষ্পীভূত হয়ে জৈব বর্জ্য গ্যাস (G11) তৈরি করে, যাকে VOC হিসাবে গণনা করা হয়। তারপর, এটি সম্পূর্ণরূপে পুড়িয়ে ফেলা হয় এবং সরঞ্জামের অন্তর্নির্মিত উচ্চ-তাপমাত্রার দহন টাওয়ার ডিভাইস দ্বারা চিকিত্সা করা হয়, এবং মুদ্রণ বর্জ্য গ্যাসের সাথে, এটি একটি দুই-পর্যায়ের সিরিজ সংযুক্ত সক্রিয় কার্বন শোষণ বাক্স দ্বারা শোষণ এবং চিকিত্সা করা হয়। শোষণের পরে, এটি নিষ্কাশন পাইপের মাধ্যমে নিষ্কাশন করা হয়।
3) বৈদ্যুতিক ইনজেকশন
ব্যাটারি কোষগুলিকে সিন্টার করার পরে, সিলিকন বডিতে হাইড্রোজেনের চার্জযুক্ত অবস্থা পরিবর্তন করতে সরাসরি চার্জ ক্যারিয়ার (সরাসরি কারেন্টের বিপরীত ইনজেকশন) ইনজেকশন দেওয়ার পদ্ধতি ব্যবহার করা হয়, যা কার্যকরভাবে ক্ষয়প্রাপ্ত বোরন অক্সিজেন কমপ্লেক্সকে নিষ্ক্রিয় করতে পারে এবং এটিকে একটি স্থিতিশীল পুনর্জন্মে রূপান্তরিত করতে পারে। রাষ্ট্র, শেষ পর্যন্ত আলোর ক্ষয় বিরোধী লক্ষ্য অর্জন করে।
পরীক্ষা প্যাকেজিং
সৌর কোষ উত্পাদন সমাপ্তির পরে, সৌর কোষের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা পরামিতি পরীক্ষা করার জন্য পরীক্ষার যন্ত্রগুলি ব্যবহার করা হবে (যেমন এর IV বক্ররেখা এবং আলোর রূপান্তর হার পরিমাপ করা)। পরীক্ষা শেষ হওয়ার পরে, ব্যাটারি স্বয়ংক্রিয়ভাবে নির্দিষ্ট মান অনুযায়ী একাধিক স্তরে বিভক্ত হবে। যখন একটি নির্দিষ্ট স্তরে ব্যাটারি কোষের সংখ্যা নির্দিষ্ট সীমাতে পৌঁছে যায়, তখন ডিভাইসটি অপারেটরকে তাদের প্যাকেজিংয়ের জন্য বের করার জন্য মনে করিয়ে দেবে। ডিভাইসটিতে একটি খণ্ড সনাক্তকরণ ফাংশনও রয়েছে, যা সম্পূর্ণ ব্যাটারি হিসাবে পরীক্ষা করার পরিবর্তে আবিষ্কারের সাথে সাথে টুকরোগুলিকে সরিয়ে দেয়, যার ফলে ব্যাটারি কোষ (S2) নষ্ট হয়।